InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长
作者:王旭,王海珠,张彬,王曲惠,范杰,邹永刚,马晓辉 单位:长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 本文刊于: 《发光学报》 2021年第0期
关键词:
金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAsP 应变补偿 多量子阱 晶格失配Keywords:
metal-organic chemical vapour deposition(MOCVD),InGaAs/GaAsP,strain compensation,multiple quantum wells,lattice mismatch
摘要
利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究。针对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,设计了GaAsP应变补偿层结构;通过理论模拟与实验相结合的方式,调控了GaAsP材料体系中的P组分,设计了P组分分别为0,0.128,0.184,0.257的三周期InxGa1-xAs/GaAs1-yPy多量子阱结构;通过PL、XRD、AFM测试对比发现,高势垒GaAsP材料的张应变补偿可以改善晶体质量。综合比较,在P组分为0.184时,PL波长1 043.6 nm,半峰宽29.9 nm, XRD有多级卫星峰且半峰宽较小,AFM粗糙度为0.130 nm,表面形貌显示为台阶流生长模式。
基金项目:
吉林省科技发展计划(20190302052GX)资助项目~~
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